CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。

CVD是一種通過在反應(yīng)室內(nèi)將反應(yīng)物質(zhì)以氣體形式傳輸并在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學(xué)反應(yīng)、氣體輸運(yùn)和表面擴(kuò)散等多個(gè)步驟。在CVD過程中，通過控制反應(yīng)氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)所生長材料的成分、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。

而MOCVD是一種特殊的CVD技術(shù)，主要用于生長復(fù)雜化合物薄膜，如半導(dǎo)體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機(jī)前驅(qū)物（通常是金屬有機(jī)化合物）和載氣（如氫氣、氮?dú)猓┰诟邷貤l件下反應(yīng)，使金屬有機(jī)前驅(qū)物分解并釋放金屬原子，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應(yīng)，最終在襯底表面形成所需薄膜。

CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器由超純水機(jī)制取二級(jí)水，并儲(chǔ)存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時(shí)，自動(dòng)供給至氫氣發(fā)生器。多臺(tái)氫氣發(fā)生器可串聯(lián)使用，通過串聯(lián)控制線由一臺(tái)發(fā)生器控制其他發(fā)生器，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)氣均勻分配。（以兩臺(tái)設(shè)備為例控制圖如下）