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EVG810LT 微流控加工設(shè)備:低溫熔融鍵合機(jī)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
  • 品牌
  • 型號 EVG810LT
  • 產(chǎn)地 奧地利
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/9/25 12:20:18
  • 訪問次數(shù) 2448
產(chǎn)品標(biāo)簽

EVG光刻雙面納米壓印鍵合

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公司自成立以來就一直專注于半導(dǎo)體、微組裝和電子裝配等領(lǐng)域的設(shè)備集成和技術(shù)服務(wù);目前公司擁有一支在半導(dǎo)體制造、微組裝及電子裝配等領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),專業(yè)服務(wù)于混合電路、光電模塊、MEMS、先進(jìn)封裝(TSV、Fan-out等)、化合物半導(dǎo)體、微波器件、功率器件、紅外探測、聲波器件、集成電路、分立器件、微納等領(lǐng)域。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設(shè)備,還能根據(jù)客戶的實(shí)際生產(chǎn)需求制訂可行的工藝技術(shù)方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等),為向客戶提供先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)服務(wù)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

 

半導(dǎo)體設(shè)備,微組裝設(shè)備,LTCC設(shè)備,化工檢測設(shè)備

價(jià)格區(qū)間 50萬-80萬 儀器種類 微陣列芯片系統(tǒng)
應(yīng)用領(lǐng)域 電子

低溫鍵合機(jī)-EVG810LT

EVG800系列鍵合機(jī):EVG810LT

 

 

  • 簡介

 

EVG公司成立于1980年,公司總部和制造廠位于奧地利,在美國、日本和中國臺(tái)灣設(shè)有分公司,并在其他各地設(shè)有銷售代理及售后服務(wù)部,產(chǎn)品和服務(wù)遍及世界各地。

EVG公司是一家致力于半導(dǎo)體制造設(shè)備的供應(yīng)商,其豐富的產(chǎn)品系列包括:涂膠和噴膠/顯影機(jī)/熱板/冷板、掩模版光刻/鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)、基片熱壓鍵合/低溫等離子鍵合系統(tǒng)、基片清洗機(jī)、基片檢測系統(tǒng)、SOI 基片鍵合系統(tǒng)、基片臨時(shí)鍵合/分離系統(tǒng)、納米壓印系統(tǒng)。

目前已有數(shù)千臺(tái)設(shè)備安裝在世界各地,被廣泛地應(yīng)用于MEMS微機(jī)電系統(tǒng)/微流體器件,SOI基片制造,3D封裝,納米壓印,化合物半導(dǎo)體器件和功率器件等領(lǐng)域。

EVG公司是世界上頂jian的基片鍵合設(shè)備制造商,其鍵合工藝被認(rèn)定為MEMS領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)工藝。EVG鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)陽極鍵合、熱壓鍵合、中間層粘著鍵合、 玻璃漿料鍵合、硅-硅直接鍵合、共晶鍵合及SOI鍵合等所有鍵合工藝。EVG鍵合設(shè)備型號齊全,從手動(dòng)裝片系統(tǒng)到全自動(dòng)片盒送片多工藝室系統(tǒng),可以滿足不同客戶的應(yīng)用要求。無論手動(dòng)/半自動(dòng)裝片系統(tǒng), 鍵合工藝全部自動(dòng)完成;而且,*的基片夾具及鍵合室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高精度的圓片鍵合;此外上/下極板為獨(dú)立分別加熱控制,zui大加熱溫度可達(dá)650度。

EVG810LT是一款單腔室、半自動(dòng)的設(shè)備,適用于硅片直接鍵合的低溫活化,如SOI,應(yīng)變硅,GeOI,化合物半導(dǎo)體和MEMS器件等應(yīng)用。EVG810LT工藝腔室允許使用非原位工藝,即硅片可在腔室內(nèi)分別片片激活,之后在激活腔室外硅片進(jìn)行鍵合。

 

二、應(yīng)用范圍

EVG810LT是一款主要用于Si-Si直接鍵合和SOI鍵合的預(yù)鍵合系統(tǒng), 廣泛應(yīng)用于MEMS制造、晶圓級良好封裝和SOI系統(tǒng)以及化合物半導(dǎo)體等方面。

目前,可以用于低溫等離子鍵合的材料為:

- Si/Si, Si/SiO2, SiO2/SiO2

- TEOS/TEOS (熱氧化)

- GeOI

- Si/Si3N4

- Si/玻璃,玻璃/玻璃

- GaAs, GaP, InP

-PMMA

 

三、主要特點(diǎn)

  1. 在室溫下,等離子輔助實(shí)現(xiàn)圓片鍵合
  2. 專li技術(shù),適用于幾乎所有材料的鍵合,特別是溫度敏感器件﹑化合物半


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