ICP-500D ICP等離子沉積系統-SI 500D
具體成交價以合同協議為準
- 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 ICP-500D
- 產地 德
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2024/9/25 12:16:56
- 訪問次數 913
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應用領域 | 電子 |
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SENTECH ICP等離子沉積系統-SI 500D
是主流的半導體設備商,研發、制造和銷售良好的薄膜測量儀器(反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀)和等離子工藝設備(等離子刻蝕機、等離子沉積系統、用戶定制系統)。
SI 500D等離子沉積系統是ICP-PECVD設備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質薄膜。可在極低溫度下(< 100oC)沉積高質量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實現沉積薄膜厚度、折射率、應力的連續調節。
SI 500 D主要特點:
適用于8寸以及以下晶片
低溫沉積高質量電介質膜:80°C~350°C
高速率沉積
低損傷
薄膜特性 (厚度、折射率、應力) 連續可調
平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)
SENTECH高級等離子設備操作軟件
穿墻式安裝方式