全譜直讀光譜儀9800T
- 公司名稱 南京聯(lián)創(chuàng)分析儀器制造有限公司
- 品牌 LC/聯(lián)創(chuàng)儀器
- 型號
- 產(chǎn)地 江蘇南京
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2023/11/10 18:04:32
- 訪問次數(shù) 4759
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波長范圍 | 見參數(shù)nm | 激發(fā)方式 | 火花 |
---|---|---|---|
價格區(qū)間 | 面議 | 檢測器類 | 雙檢測器(PMT+CCD) |
焦距 | 見參數(shù)mm | 刻線數(shù) | 見參數(shù)nm |
通道數(shù) | 見參數(shù) | 儀器種類 | 落地式 |
應用領(lǐng)域 | 地礦,能源,冶金,航天,汽車 |
全譜直讀光譜儀9800T
應用領(lǐng)域
全譜直讀光譜儀9800T是我公司引進歐洲技術(shù)生產(chǎn),是目前良好的國際認為的CCD光譜儀技術(shù), 廣泛應用于冶金、鑄造、機械、汽車制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制,爐前化驗,中心實驗室成品檢驗。儀器體積小、穩(wěn)定性好、檢測限低、分析速度快、運行成本低、操作維護方便,是控制產(chǎn)品質(zhì)量的理想選擇。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1、良好的CCD全譜光譜儀制造技術(shù)(數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù))、通道不受限制 ;
2、引進歐洲技術(shù)、同國際光譜儀技術(shù)同步,國內(nèi)一家也能生產(chǎn)真空CCD全譜技術(shù)光譜儀的制造商;
3、基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費用;
4、升級多基體方便,無須變動增加硬件;
5、優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性,同一樣品不同的時間段分析,可獲得良好的數(shù)據(jù)一致性;
6、體積小、重量輕, 移動安裝方便;
7、高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性;
8、節(jié)電、節(jié)材、能耗只是普通光譜儀50%。
主要特點
1、可測定包括痕量碳(C),磷(P),硫(S)元素,適用于多種金屬基體,如:鐵基,鋁基,銅基,鎳基,鉻基,鈦基,鎂基,鋅基,錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍,可根據(jù)客戶需要選擇通道元素;
2、分析速度快捷,20秒內(nèi)測完所有通道的元素成分。針對不同的分析材料,通過設(shè)置預燃時間及標線,使儀器用更短的時間達到更優(yōu)的分析效果;
3、光學系統(tǒng)采用真空恒溫光室, 激發(fā)時產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導入真空光室,實現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗,提高檢出限,測定結(jié)果準確,重現(xiàn)性及長期穩(wěn)定性較佳;
4、特殊的光室結(jié)構(gòu)設(shè)計,使真空室容積更小,抽真空速度不到普通光譜儀的一半;
5、自動光路校準,光學系統(tǒng)自動進行譜線掃描,確保接收的正確性,免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動識別特定譜線,與原存儲線進行對比,確定漂移位置,找出分析線當前的像素位置進行測定;
6、開放式的電及架設(shè)計,可以調(diào)整的樣品夾,便于各種形狀和尺寸的樣品分析;
7、工作曲線采用國際標樣,預做工作曲線,可根據(jù)需要延伸及擴展范圍,每條曲線由多達幾十塊標樣激發(fā)生成,自動扣除千擾;
8、HEPS數(shù)字化固態(tài)光源,適應各種不同材料 ;
9、固態(tài)吸附阱,防止油氣對光室的污染,提高長期運行穩(wěn)定性;
10、銅火花臺底座,提高散熱性及堅固性能;
11、合理的氬氣氣路設(shè)計,使樣品激發(fā)時氬氣沖洗時間縮短,為用戶節(jié)省氬氣,氬氣消耗不到普通光譜儀的一半;
12、采用鎢材料電及,電及使用壽命更長,并設(shè)計了電及自吹掃功能,清潔電及更加容易;
13、高性能DSP及ARM處理器,具有超高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動實時監(jiān)測光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊 的運行狀況;
14、儀器與計算機之間采用以太網(wǎng)連接,抗千擾性能好,外部計算機升級與儀器配置無關(guān),使儀器具有更好的適用性;
15、核心器件全部進口,保證了儀器優(yōu)良的品質(zhì)。
技術(shù)參數(shù)
1、光學系統(tǒng)
光學結(jié)構(gòu):帕邢-龍格結(jié)構(gòu)的全譜真空型光學系統(tǒng)
光室溫度:自動控制恒溫:35℃±0.5℃
波長范圍:160-800nm
光柵焦距:350 mm
光柵刻線:3600 l/mm
Ⅰ級光譜線色散率:1.2 nm/mm
探測器:多塊高性能線陣CCD
平均分辨率:10pm/pixel
2、激發(fā)臺
氣體:沖氬式
氬氣流量:激發(fā)時3-5L/min, 待機時:無須待機流量
電及:鎢材噴射電及技術(shù)
吹掃:點擊自吹掃功能
補償:熱變形自補償設(shè)計
分析間隙:樣品臺分析間隙:4mm
3、激發(fā)光源
類型:HEPS數(shù)字化固態(tài)光源
頻率:100-1000Hz
放電電流:1-80A
特殊技術(shù):放電參數(shù)優(yōu)化設(shè)計
預燃:高能預燃技術(shù)
4、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
處理器:高性能ARM處理器,高速數(shù)據(jù)同步采集處理
接口:基于DM9000A的以太數(shù)據(jù)傳輸
5、電源與環(huán)境要求
輸入:220VAC 50Hz
功率:分析時(max)700W,待機狀態(tài)40W
工作溫度:10-30℃(該溫度范圍內(nèi)溫度變化不大于5℃/h)
工作濕度:20-80%
6、尺寸與重量
尺寸:800*450*500 mm
重量:85Kg