美國SVT公司MBE分子束外延系統

美國SVT公司是世界MBE供應商，具有20年的MBE設備制造經驗。數位核心工程師擁有25年以上的MBE經驗。

占據美國主要科研市場的SVT分子束外延系統，以其專業(yè)化的超高真空技術和薄膜生長技術搏得了廣大客戶的青睞。

SVT公司擁有獨立的應用實驗室，可以為客戶提供完善的工藝技術服務。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術平臺。

SVT公司建立完善的售后服務體系。在北京、香港、美國總部都有服務工程師。

SVT MBE系統是模塊化設計，主要包括裝載室模塊，預備或分析室模塊，主生長室模塊。可配10個源，線性移動擋板。每個模塊都有獨立的抽氣系統。模塊間有閘板閥相互隔離，互不影響。

Model 35-6 AlGaAs（或其他半導體材料）研究和生產型設備，樣品尺寸可達6英寸。

可容納10個cell。

真空度< 1×10-10Torr。

可配普通束流源、裂解源、RF源、電子束蒸發(fā)源。

Model 35-N-V 標準4''襯底MBE平臺，用于生長高質量的氮化物半導體材料。

可容納10個cell。

真空度< 1×10-10Torr。

設計考慮了嚴格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器。

氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。

26-O-V 氧化物MBE系統具有彈性配置。

真空度< 1×10-10Torr。

此多元化MBE平臺可以生長研究各種氧化物材料。

該系統可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個熱蒸發(fā)源或等離子源等。

氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號。

Model SM-6 SiGe系統用于生長高質量的Si/Ge及相關化合物。

真空度< 1×10-10Torr。

可容納9個普通源及1個電子束蒸發(fā)源，或6個普通源及2個電子束蒸發(fā)源。

美國SVT公司MBE分子束外延系統集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術，并通過傳感器反饋控制技術實現薄膜制備的高度再現性。