微米氮化鋁陶瓷粉體 粒徑10微米

氮化鋁粉體純度高、粒徑小、分布均勻、良好的注射成形性能；具有較高的高溫強度及較高的熱導系數，具有良好的絕緣性、耐高溫、耐腐蝕等特性，較低的介電常數及 介電損耗，起熱膨脹接近于硅，具有較好的機械加工性等。是一種具有廣泛應用前途的高導熱陶瓷材料。是半導體摩、功率模快、電子封裝、大規模集成電路基片，導電蒸發舟等電子材料領域的重要材料。可以用其制作坩堝和澆筑模具等結構材料。

氮化鋁 （AlN）以其*的導熱性而著稱，若您的應用有如下的要求， 氮化鋁材料不過：高導熱性；

高電絕緣性；

熱膨脹性與硅相近 （ 耐Ⅲ～Ⅴ族化合物的熔融；

氮化鋁粉體指標

樣品名稱 ：AlN粉體測試指標

測試項目

測試結果

分析測試依據

備注

D50

0.5um

光透沉降法

AlN

99%

X射線衍射

O

0．8%

惰氣脈沖紅外熱導（QB-Q-02-97）

N

33.5%

惰氣脈沖紅外熱導（QB-Q-02-97）

Fe

40PPM

原子吸收（CKS-HI-65）

比表面積

13.894 m2/g

松裝密度

0.13 g/cm3

主要用途：

1）用作大功率半導體器件的絕緣基片、大規模和超大規模集成電路的散熱基 片、鋰電池內部的隔板材料、切削工具、封裝材料、高溫潤滑劑、熱散板及粘結劑等。

2)制造集成電路基板、電子器件、光學器件、散熱器、高溫坩鍋；制備金屬基及高分子基復合材料，特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有*的應用前景。

3）導熱填料：如金屬、陶瓷及石墨基復合材料，橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復合材料。

注要事項：

氮化鋁粉體應貯藏于陰涼、干燥室內，避免重壓。未經表面處理的粉體，使用過程中不宜暴露空氣中，以免吸濕團聚，影響分散性能和使用效果